Conception, fabrication et caractérisation de transistors verticaux de puissance en diamant avec terminaison de jonction.
ABG-124996 | Sujet de Thèse | |
08/07/2024 | Autre financement public |
- Physique
- Electronique
- Sciences de l’ingénieur
Description du sujet
Titre de la thèse : Conception, fabrication et caractérisation de transistors verticaux de puissance en diamant avec terminaison de jonction.
Contexte et objectifs :
Dans un monde où la réduction des émissions de gaz à effet de serre est cruciale, la gestion de l'énergie électrique est une priorité. La transition énergétique passe par l'amélioration des convertisseurs électriques grâce à l'utilisation de semi-conducteurs à large bande interdite. Le diamant, avec ses propriétés thermiques et électriques exceptionnelles, offre des perspectives prometteuses. L'objectif de cette thèse est de contribuer au développement de composants en diamant, en collaboration entre le LAAS à Toulouse et le Laboratoire Ampère à Lyon.
Organisation des travaux :
- Étude bibliographique et prise en main des outils TCAD Synopsys Sentaurus.
- Mise à jour des modèles de simulation et dimensionnement des composants.
- Simulation et dessin des masques pour la fabrication en salle blanche.
- Fabrication et caractérisation électrique des transistors.
Cette thèse se déroulera entre 2 laboratoires : Laboratoire Ampère (Lyon) et LAAS (Toulouse), offrant une expérience complète et enrichissante.
Démarche scientifique :
Vous commencerez par une étude approfondie de la littérature et une formation sur les outils de simulation et de caractérisation. Vous participerez à la conception, la fabrication en salle blanche, et à la validation des performances des transistors en diamant. Vous aurez l'opportunité de travailler avec des experts et des équipements innovants.
Encadrement et intégration :
Vous serez intégré au département Énergie Électrique du Laboratoire Ampère, sous la direction de Dominique Planson, avec un co-encadrement de Luong Viet Phung et Camille Sonneville. Une partie de votre travail se déroulera également au LAAS à Toulouse, encadrée par Karine Isoird.
Profil recherché :
Nous recherchons un candidat avec une formation solide en physique des semi-conducteurs, passionné par les études expérimentales et la simulation. Une maîtrise des systèmes Unix et des langages de programmation est un plus.
Compétences développées et perspectives :
Vous développerez des compétences en conception de composants microélectroniques, simulation par éléments finis, et techniques de caractérisation électrique. Ces compétences vous ouvriront des opportunités dans les domaines académique et industriel.
Prise de fonction :
Nature du financement
Précisions sur le financement
Présentation établissement et labo d'accueil
Ampère est issu, en 2007 de la fusion du CEGELY (Centre de Génie Electrique de Lyon) et du LAI (Laboratoire d’Automatique Industrielle de Lyon).
Contractualisé avec le CNRS et 3 établissements lyonnais (ECL, INSA, UCBL), Ampère compte plus de 180 collaborateurs
Site web :
Intitulé du doctorat
Pays d'obtention du doctorat
Etablissement délivrant le doctorat
Ecole doctorale
Profil du candidat
Nous recherchons un candidat avec une formation solide en physique des semi-conducteurs, passionné par les études expérimentales et la simulation. Une maîtrise des systèmes Unix et des langages de programmation est un plus.
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