Dépôt par ALD de couches ultra-minces en sulfure de vanadium pour la réalisation de contacts performants dans les transistors à base de dichalcogénures 2D // Atomic layer deposition of vanadium sulfide contacts for next-generation transistors based on 2D
ABG-125170 | Sujet de Thèse | |
18/07/2024 | Financement public/privé |
CEA Grenoble INP Laboratoire
Grenoble
Dépôt par ALD de couches ultra-minces en sulfure de vanadium pour la réalisation de contacts performants dans les transistors à base de dichalcogénures 2D // Atomic layer deposition of vanadium sulfide contacts for next-generation transistors based on 2D
- Physique
Physique du solide, surfaces et interfaces / Physique de l’état condensé, chimie et nanosciences
Description du sujet
L’objectif principal de ce sujet de recherche est de développer et évaluer le potentiel de couches minces de sulfure de vanadium déposées par ALD pour la réalisation d’électrodes dans des transistors ultimes à base de dichalcogénures 2D. Le candidat réalisera les dépôts de films de VSx dans un réacteur dédié au LMGP permettant d’effectuer des caractérisation optiques et chimiques in situ ainsi que l’analyse structurelle sous rayonnement synchrotron, afin d’identifier les mécanisme de croissances et les modifications structurelles du matériau pendant les phases de dépôt et de cristallisation. Il/Elle aura également pour objectif d’étudier les propriétés électriques des films de VSx ainsi que des hétérostructures VSx/MoS2 en vue de la réalisation de transistors 2D.
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The main purpose of this research is to develop and evaluate the potential of atomic layer-deposited vanadium sulfide as an efficient contact on next-generation transistors based on 2D dichalcogenide semiconductors. The student will achieve atomic layer deposition (ALD) of VSx films in a dedicated reactor at LMGP allowing in situ optical and chemical characterization along with structural and chemical characterization with synchrotron radiation, in order to get an insight into the growth mechanisms and structural changes occurring during the crystallization. She/he will investigate the electrical properties of the VSx films and VSx/MoS2 heterostructures.
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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service : Service des procédés de Dépôts
Laboratoire : Laboratoire
Date de début souhaitée : 01-10-2024
Ecole doctorale : Ecole Doctorale de Physique de Grenoble (EdPHYS)
Directeur de thèse : RENEVIER Hubert
Organisme : Grenoble INP
Laboratoire : LMGP/NanoMat
URL : https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/
URL : https://lmgp.grenoble-inp.fr/
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The main purpose of this research is to develop and evaluate the potential of atomic layer-deposited vanadium sulfide as an efficient contact on next-generation transistors based on 2D dichalcogenide semiconductors. The student will achieve atomic layer deposition (ALD) of VSx films in a dedicated reactor at LMGP allowing in situ optical and chemical characterization along with structural and chemical characterization with synchrotron radiation, in order to get an insight into the growth mechanisms and structural changes occurring during the crystallization. She/he will investigate the electrical properties of the VSx films and VSx/MoS2 heterostructures.
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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service : Service des procédés de Dépôts
Laboratoire : Laboratoire
Date de début souhaitée : 01-10-2024
Ecole doctorale : Ecole Doctorale de Physique de Grenoble (EdPHYS)
Directeur de thèse : RENEVIER Hubert
Organisme : Grenoble INP
Laboratoire : LMGP/NanoMat
URL : https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/
URL : https://lmgp.grenoble-inp.fr/
Nature du financement
Financement public/privé
Précisions sur le financement
Présentation établissement et labo d'accueil
CEA Grenoble INP Laboratoire
Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département des Plateformes Technologiques (LETI)
Service : Service des procédés de Dépôts
Profil du candidat
Physique, chimie ou science des matériaux
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