Etude de la stabilité de structures Si-CMOS pour la réalisation de qubits de spin // Study of the stability of Si-CMOS Structures for the implementation of Spin Qubits

Vous êtes étudiant en Master 2 avec une passion pour les technologies quantiques et l’analyse de données ? Rejoignez notre équipe au CEA Leti, un institut de recherche de renommée mondiale, et embarquez dans une thèse de doctorat innovante !

Parmi les différentes approches pour réaliser des bits quantiques, ou qubits, les qubits de spin dans des structures Metal-Oxyde-Semiconducteur (MOS) à base de silicium se distinguent par leur compatibilité avec les technologies actuelles de la microélectronique et leur potentiel de mise à l’échelle.
Cependant, cette approche présente également plusieurs défis majeurs à relever pour exploiter tout son potentiel. Par exemple, les impuretés et les défauts introduits lors de la fabrication engendrent du bruit et de l’instabilité dans les dispositifs, ce qui peut nuire aux performances des qubits.
Pour évaluer la qualité des dispositifs de manière approfondie, des mesures électriques doivent être réalisées depuis la température ambiante jusqu’à des températures très basses. Cette méthode permettra d’identifier les causes fondamentales de l’instabilité des dispositifs et d'établir des corrélations entre leurs caractéristiques à différentes températures. L’analyse qui en découle aidera à comprendre comment les propriétés évoluent avec la température et à développer des stratégies d’optimisation des performances dans des conditions variées.

Votre mission :
• Caractériser des dispositifs de pointe fabriqués au CEA Leti. Réaliser des mesures électriques rigoureuses à l’aide d’équipements de dernière génération.
• Mettre à profit vos compétences en analyse. Analyser des données complexes et présenter vos résultats avec clarté et précision.
• Développer des algorithmes innovants. Concevoir des outils d’analyse sur mesure pour automatiser le traitement des données et révéler des informations cachées.

Apprenez aux côtés d’experts du domaine et contribuez à une recherche de pointe qui façonne l’avenir de l’électronique. Vous serez encouragé à valoriser vos travaux par des publications, des conférences internationales et/ou des brevets.
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Silicon-based spin qubits in CMOS structures stand out for their compatibility with semiconductor technologies and their scalability potential. However, impurities and defects introduced during fabrication lead to noise and instability, which affect their performance.

The objective is to characterize devices fabricated at CEA-Leti, from room temperature to cryogenic temperatures, to evaluate their quality and understand the physical mechanisms responsible for their instability. The goal is to improve the design of the devices and ideally establish a method to identify the most promising devices without requiring measurements at very low temperatures.

The candidate should have skills in the following areas:
- Experimental physics and semiconductors.
- Algorithm programming and data analysis.
- Knowledge in nanofabrication, low-temperature physics, and quantum physics (desirable).
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Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité
Laboratoire : Laboratoire des Dispositifs Quantiques
Date de début souhaitée : 01-10-2025
Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)
Directeur de thèse : IONICA Irina
Organisme : UGA
Laboratoire : CROMA (ex IMEP)
URL : https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/Accueil.aspx

Financement public/privé

Pôle fr : Direction de la Recherche Technologique
Pôle en : Technological Research
Département : Département Composants Silicium (LETI)
Service : Service des Composants pour le Calcul et la Connectivité

M2 ou Ecole ingénieur physique/matériaux semiconducteurs